ГлавнаяПродуктыДискретных полупроводниковых изделийТранзисторы - FETS, MOSFET - ОдиночныйSIA433EDJ-T1-GE3
SIA433EDJ-T1-GE3 Image
Изображения только для ознакомления См. Спецификации продукта

SIA433EDJ-T1-GE3

Mfr# SIA433EDJ-T1-GE3
Mfr. Vishay / Siliconix
Описание MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Статус RoHS
Дополнительная информация Узнайте больше о Vishay Siliconix SIA433EDJ-T1-GE3
Спецификация 1.SIA433EDJ-T1-GE3.pdf
  2.SIA433EDJ-T1-GE3.pdf

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все обязательные поля своей контактной информацией. Нажмите «Запрос предложений», и мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте. Или напишите нам: .
  • Быть в наличии:168276 pcs
  • На заказ:0 pcs
  • минимальный:1 pcs
  • Множественные:1 pcs
  • Время выполнения фабрики::Call

Описание

Мы можем предоставить SIA433EDJ-T1-GE3, используйте форму запроса предложения, чтобы запросить SIA433EDJ-T1-GE3 pirce и время выполнения заказа.ExceStore - профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С более чем 7 миллионами позиций доступных электронных компонентов могут быть отгружены в короткие сроки, более 250 тысяч деталей электронных компонентов на складе для немедленной доставки, которые могут включать номер детали SIA433EDJ-T1-GE3. Цена и время выполнения заказа для SIA433EDJ-T1-GE3 в зависимости от количестватребуется, наличие и местонахождение склада. Свяжитесь с нами сегодня, и наш торговый представитель сообщит вам цену и доставку по части № SIA433EDJ-T1-GE3. Мы надеемся на сотрудничество с вами для установления долгосрочных отношений сотрудничества.

Используйте форму ниже, чтобы отправить запрос на предложение

Проходная цена(USD)
*Количество
*Часть №
*Эл. почта
*Контактное лицо
*Телефон
*Компания
Сообщение

Параметр продукта

Тип продуктов SIA433EDJ-T1-GE3
производитель Vishay / Siliconix
Описание MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
Кол-во в наличии 168276 pcs
Спецификация 1.SIA433EDJ-T1-GE3.pdf 2.SIA433EDJ-T1-GE3.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1.2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स) ±12V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerPAK® SC-70-6
शृंखला TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
पैकेज / प्रकरण PowerPAK® SC-70-6
पैकेट Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 75 nC @ 8 V
FET प्रकार P-Channel
FET फ़ीचर -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.8V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 12A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या SIA433

сопутствующие товары